ステップ学習ガイド(シナリオ選択)
パラメータ調整
6.0 dB
50 Ω
0 Ω (ショート / 全反射)
150 Ω (不整合)
透視図に描かれている構造の正体
1. 同軸構造(左): 中心導体を誘電体(絶縁体)で囲み、さらに外側を外部導体(グラウンド)でシールドした構造です。電磁波が外部に漏れず、特性インピーダンス(50Ωなど)を一定に保ちながら伝送します。
2. 同軸アッテネータ(中央): シリンダー状 of 金属ハウジング内に、セラミック基板に焼き付けられた高精度な「薄膜抵抗器」が実装されています。この抵抗を電流が通過する際、電磁エネルギーが「ジュール熱」に変換され、反射を起こさずに信号の強さだけを減衰させます。
3. 終端器(右、ターミネータ): 中心ピンから周囲の金属ボディー(グラウンド)へ、高周波特性の良い「円筒型または無誘導型の抵抗器」が1本直結されています。50Ωの抵抗器がエネルギーを100%熱として吸収し尽くすことで、波が折り返して戻る「反射」を防ぎます。
リアルタイム透視・熱放射モニター
伝送線路上の高周波電圧振幅分布(定在波)
← 送信源端 (50Ω給電線)
減衰器 (アッテネータ)
終端負荷端 (ターミネータ) →
減衰器の内部設計抵抗値
バイパス(直結)に設定されているため、設計値はありません。
直列 R₁
16.6 Ω
直列 R₂
16.6 Ω
並列 R₃
66.8 Ω
エネルギー消費比率 & 反射インジケータ
送信源・最大供給能力 (Pav)
500.0 mW
アッテネータ消費熱量 (Patt)
375.0 mW
ターミネータ消費熱量 (Pload)
125.0 mW
信号源への逆流反射電力 (Pref)
0.0 mW
反射電力:
0.0 mW (0%)
減衰器消費:
375.0 mW (75%)
終端器消費:
125.0 mW (25%)
入力反射係数 (Γ_in):
0.00
定在波比 (VSWR):
1.00 (完全整合)